Технические детали

• Пакет/кейс 8-SMD, Flat Leads
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.8A (Tj)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1.3W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика ChipFET™
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
• ВГС (Макс) ±8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 16 V