Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 300mW (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.6V @ 264µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 8V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7800 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23

Инвентаризация: 59789

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 923

MV POWER MOS

Инвентаризация: 0

TRENCH >=100V

Инвентаризация: 294

MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3

Инвентаризация: 1885

MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3

Инвентаризация: 398

MOSFET N-CH 150V 15A/139A TO220

Инвентаризация: 369

Top