Инвентаризация:7241

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4.2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-236AB
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19.2 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 793 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3L

Инвентаризация: 884500

30V 4.1A 52MR@10V,4.1A 1.4W 3V@2

Инвентаризация: 3503

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3

Инвентаризация: 7610

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

Инвентаризация: 42487

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 114762

MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.22A, 50V

Инвентаризация: 57976

MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

Инвентаризация: 150505

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3

Инвентаризация: 11005

MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB

Инвентаризация: 35736

Top