Инвентаризация:1982

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.7V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9200 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR

Инвентаризация: 53115

MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON

Инвентаризация: 3358

MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

Инвентаризация: 2101

Top