- Модель продукта CSD13302WT
- Бренд Texas Instruments
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1822
Технические детали
- Пакет/кейс 4-UFBGA, DSBGA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.6A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 4-DSBGA (1x1)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 862 pF @ 6 V