- Модель продукта IMD9AT108
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
- Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
-
PDF
Инвентаризация:6763
Технические детали
- Пакет/кейс SC-74, SOT-457
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Мощность - Макс. 300mW
- Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100mA
- Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50V
- Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
- Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
- Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
- Частота – переход 250MHz
- Резистор — база (R1) 10kOhms
- Резистор — база эмиттера (R2) 47kOhms
- Пакет устройств поставщика SMT6