Технические детали

• Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
• Пакет устройств поставщика SMT3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 200 mW
• Частота – переход 250 MHz
• Резистор — база (R1) 4.7 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 4.7 kOhms