- Модель продукта IPD80R1K4P7ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 800V 4A TO252
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:19777
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 32W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 700µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-2
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 250 pF @ 500 V