Технические детали

• Пакет/кейс TO-220-3
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 8V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 96W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 500µA
• Пакет устройств поставщика TO-220AB
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
• ВГС (Макс) ±18V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.3 nC @ 4.5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 760 pF @ 480 V