Инвентаризация:103422

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.8A (Ta), 37A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 864 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON

Инвентаризация: 15826

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

Инвентаризация: 5933

Top