Инвентаризация:27876

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14.1A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 9A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 800mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 3.7V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22.6 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1320 pF @ 15 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23

Инвентаризация: 77952

Top