Инвентаризация:2475

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 4.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SO
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1030 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO

Инвентаризация: 3860

MOSFET P-CHANNEL 60V 7.8A 8SO

Инвентаризация: 5705

MOSFET P-CH 60V 8SOIC

Инвентаризация: 47272

DIODE ZENER 56V 500MW SOD123

Инвентаризация: 4439

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20105

MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

Инвентаризация: 20216

MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC

Инвентаризация: 12512

Top