Инвентаризация:4095

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.3A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SO
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 60.2 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2575 pF @ 10 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3

Инвентаризация: 8000

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

Инвентаризация: 0

Top