Инвентаризация:2330

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 50A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) 20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50.9 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2280 pF @ 25 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

Инвентаризация: 2112

Top