Инвентаризация:5500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1.2W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.7A (Ta)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1870pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20.3nC @ 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8 (Type UXB)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN

Инвентаризация: 2886

Top