- Модель продукта IPN60R2K1CEATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:11749
Технические детали
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.7A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 800mA, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 5W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 60µA
- Пакет устройств поставщика PG-SOT223-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.7 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 140 pF @ 100 V