Инвентаризация:4412

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.25V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 930 pF @ 10 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Инвентаризация: 19396

MOSFET N-CH 20V 6.1A SUPERSOT3

Инвентаризация: 10339

TRAN NPN/PNP 40V 0.2A SC88/SC70

Инвентаризация: 317848

MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP

Инвентаризация: 2935

MOSFET P-CHANNEL 20V 3.5A TSMT3

Инвентаризация: 20402

Top