Инвентаризация:124960

Технические детали

  • Пакет/кейс 4-XFBGA, WLCSP
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.7A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 3A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 4-WLCSP (0.78x0.78)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 335 pF @ 6 V

Сопутствующие товары


DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN

Инвентаризация: 13321

MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN

Инвентаризация: 14053

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

Инвентаризация: 94617

GANFET 2N-CH 100V 5A DIE

Инвентаризация: 5088

Top