Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора PNP
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200mV @ 500µA, 10mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
• Частота – переход 100MHz
• Пакет устройств поставщика DFN1006B-3
• Оценка Automotive
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
• Мощность - Макс. 250 mW
• Квалификация AEC-Q101