Инвентаризация:9962

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 19A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-VSON-CLIP (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4870 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 70A TO252

Инвентаризация: 8562

MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

Инвентаризация: 53122

MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON

Инвентаризация: 6208

Top