- Модель продукта IPW65R048CFDAFKSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 63.3A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 48mOhm @ 29.4A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 500W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 2.9mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO247-3
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 270 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7440 pF @ 100 V
- Квалификация AEC-Q101
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Инвентаризация: 8402
MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Инвентаризация: 323
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Инвентаризация: 143
MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Инвентаризация: 194
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Инвентаризация: 139
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Инвентаризация: 493
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Инвентаризация: 240
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Инвентаризация: 273
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Инвентаризация: 250
