Инвентаризация:8197

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 60W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1755pF @ 25V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 17A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27nC @ 10V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 25µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-4
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

Инвентаризация: 29448

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 21897

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 39512

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT

Инвентаризация: 2867

Top