- Модель продукта IPD80R2K7C3AATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5650
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 42W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-252AA (DPAK)
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290 pF @ 100 V
- Квалификация AEC-Q101