- Модель продукта IPD60N10S412ATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7336
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 60A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 94W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 46µA
- Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-313
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 34 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2470 pF @ 25 V
- Квалификация AEC-Q101