Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel Complementary
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2.5W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.1A, 3.2A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 419pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 2.5V Drive
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 110µA
• Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8-FL
• Оценка Automotive
• Квалификация AEC-Q101