- Модель продукта BSG0811NDATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:8865
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2.5W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A, 41A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100pF @ 12V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика PG-TISON-8