Инвентаризация:16271

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.8mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 36µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Инвентаризация: 45476

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Инвентаризация: 18873

MOSFET N-CH 100V 80A TDSON

Инвентаризация: 38158

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

Инвентаризация: 3022

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

Инвентаризация: 5985

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23

Инвентаризация: 4973

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

Инвентаризация: 2235

Top