Инвентаризация:1699

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3 Isolated Tab
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 450mOhm @ 7.1A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 34W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 680µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO220-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1600 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB

Инвентаризация: 500

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Инвентаризация: 2023

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP

Инвентаризация: 1982

Top