Инвентаризация:1585

Технические детали

  • Пакет/кейс 15-SIP
  • Тип монтажа Through Hole
  • Конфигурация 4 N-Channel
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 4.8W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 660pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 15-SIP

Сопутствующие товары


MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 16DIP

Инвентаризация: 432

MOSFET 4N-CH 20V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 5289

MOSFET 4N-CH 10V 0.05A 14SOIC

Инвентаризация: 9873

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 722

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15ZIP

Инвентаризация: 355

MOSFET 6N-CH 60V 5A 15ZIP

Инвентаризация: 0

MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP

Инвентаризация: 0

MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP

Инвентаризация: 216

Top