Технические детали

• Тип транзистора NPN
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 6V
• Частота – переход 80MHz
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 V
• Мощность - Макс. 400 mW