Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 23.5mOhm @ 7.5A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 8-SOP-J
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1250 pF @ 15 V