Инвентаризация:17847

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Ta), 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 30W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 11mA
  • Пакет устройств поставщика 8-HSMT (3.2x3)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4290 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP

Инвентаризация: 13471

NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

Инвентаризация: 0

Top