- Модель продукта RQ3E180AJTB
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:17847
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Ta), 30A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 30W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 11mA
- Пакет устройств поставщика 8-HSMT (3.2x3)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4290 pF @ 15 V