Инвентаризация:1524

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3 Variant
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 120A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1250W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 8mA
  • Пакет устройств поставщика PLUS247™-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 225 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15500 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

Инвентаризация: 3565

HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 231

MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41

Инвентаризация: 0

650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264

Инвентаризация: 79

MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3

Инвентаризация: 702

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N

Инвентаризация: 992

MOSFET N-CH 650V 138A MAX247

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

Top