Инвентаризация:7488

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 900mW
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.5A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 887pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18.4nC @ 8V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2030-6 (Type B)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN

Инвентаризация: 10701

Top