- Модель продукта CDM22010-650 SL
- Бренд Central Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 650V 10A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1964
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1Ohm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta), 156W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-220-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) 30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1168 pF @ 25 V