- Модель продукта BSP297H6327XTSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:12997
Технические детали
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 660mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 660mA, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.8V @ 400µA
- Пакет устройств поставщика PG-SOT223-4
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 357 pF @ 25 V