Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 25A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type K)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±12V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 585 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12826 pF @ 10 V