Инвентаризация:4500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 65W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика WPAK(3F) (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Инвентаризация: 11535

MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8

Инвентаризация: 2745

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Инвентаризация: 10878

MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN

Инвентаризация: 7900

MOSFET N-CH 150V 25A WPAK

Инвентаризация: 6000

MOSFET N-CHANNEL 200V 20A WPAK

Инвентаризация: 3000

Top