Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.3A (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
• Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
• Рассеиваемая мощность (макс.) 1.1W (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SO
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 353 pF @ 15 V