- Модель продукта IRF7341GTRPBF
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:9379
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2.4W
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 55V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5.1A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 780pF @ 25V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.1A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA (Min)
- Пакет устройств поставщика 8-SO