Инвентаризация:9109

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Ta), 40A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 15A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.3W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика POWERDI3333-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4621 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333

Инвентаризация: 4366

MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333

Инвентаризация: 6603

Top