Инвентаризация:7373

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.4W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (2x2)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 639 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN

Инвентаризация: 4906

MOSFET N-CH 30V POWERFLAT

Инвентаризация: 2376

MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT

Инвентаризация: 8648

Top