Инвентаризация:9867

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 6.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA (Min)
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (5x6)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3525 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

Инвентаризация: 10304

TRENCH 40<-<100V

Инвентаризация: 4435

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Инвентаризация: 5429

MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK

Инвентаризация: 27308

MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT

Инвентаризация: 11925

MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT

Инвентаризация: 29435

Top