- Модель продукта CSD13306W
- Бренд Texas Instruments
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4455
Технические детали
- Пакет/кейс 6-UFBGA, DSBGA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.5A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-DSBGA (1x1.5)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.2 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 6 V