Технические детали

• Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 820mW
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 630mA
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12.9pF @ 12V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 150mA, 5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.74nC @ 5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика TSOT-26