Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 3.1W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A, 26A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 820pF @ 15V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-DFN (5x6)