Инвентаризация:2607

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 2.2W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2060pF @ 50V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 10A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-Power 5x6

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

Инвентаризация: 1455

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56

Инвентаризация: 2007

MOSFET 2N-CH 80V 14A/74A 8DFN

Инвентаризация: 115

MOSFET 2N-CH 40V 41A PWRPAIR

Инвентаризация: 0

FM+ IC BUS AND SMBUS VOLTAGE TRA

Инвентаризация: 4046

Top