Инвентаризация:55992

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16mOhm @ 7A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 730mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 59 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2760 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN

Инвентаризация: 124007

TRANS PNP 60V SS SOT363

Инвентаризация: 1837

PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M

Инвентаризация: 6000

Top