Технические детали

• Тип монтажа Through Hole
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tj)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 100µA
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
• ВГС (Макс) 10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 55 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.3 nC @ 5 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 290 pF @ 28 V