Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 80V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.4A, 2.6A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 3.4A, 10V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.2nC @ 5V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate, 4V Drive
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика 8-SOP